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如发现接班人员有,酒醉或因有思想情绪等不适于工作时,应拒绝交班并报告领导。未经正式交接手续及接班人员未按时到达时,交班人员不准离工作岗位,同时报告领导。交接班过程中发生事故或有重要操作时,禁止进行交接,应由交班人员进行后再交班。值班人员应交接下列事项:当时系统的运行方式,变动部分及事故情况。设备运行情况,所发现的设备缺陷和备用设备的情况。设备和线路正在检修或试验的工作情况。作为学习者,问人可能更方便点,但一直这样是培养不出解决问题的能力的。有些单片机初学者觉得看例程不好,觉得就等于看一样有罪恶感。其实对初学者来说,看例程理解例程再看例程的注解是的学习途径。实验课程设计参赛作品的时候也是可以移植程序的,不需要自己重新实现。(当然老师布置的作业还是独立完成好)要清楚,移植程序不等于学习单片机, 重要的是知道例程是怎样的框架及实现方法。初始化了哪些寄存器,了哪些引脚配置,调用了哪些函数,那些函数又是怎么实现的,设置了哪些中断,用到了哪些片上资源(UART、ADC等),查询了哪些状态,如果状态变化(触发事件)又会些什么等等。场效应管通常分为两类:JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极,分别为:栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛,JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS,下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的:在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区,这两个区分别叫源极S和漏极D,在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。分析来看,在对变压器充电时,励磁涌流往往是引起变压器误动跳闸致使充电不成功的因素之一,务必引起高度重视:2011年3月,某变电站全停检修恢复送电时,运行人员在接调度令退出220kV线路断路器充电保护时,未退出充电保护功能压板,造成在对主变充电时励磁涌流定值达到断路器充电保护定值而动作跳闸。2013年6月,某变电站新设备投产过程中,因220kV线路断路器过流及充电保护压板 2断路器时,220kV#2主变产生的励磁涌流导致220kV线路断路器充电保护动作、220kV线路差动出口动作、220kV线路远跳出口动作,引起220kV线路两侧断路器跳闸跳闸事件。